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codice articolo del costruttore | ELL-4GM8R2N |
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Numero di parte futuro | FT-ELL-4GM8R2N |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | M |
ELL-4GM8R2N Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 8.2µH |
Tolleranza | ±30% |
Valutazione attuale | 580mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 220 mOhm |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | - |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.150" L x 0.150" W (3.80mm x 3.80mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.059" (1.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
ELL-4GM8R2N Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | ELL-4GM8R2N-FT |
ELL-6RH181M
Panasonic Electronic Components
ELL-6RH330M
Panasonic Electronic Components
ELL-6RH3R3M
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ELL-6RH560M
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ELL-6RH220M
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XA3SD1800A-4FGG676Q
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-2FG900C
Xilinx Inc.
XCVU080-3FFVD1517E
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG256
Microsemi Corporation
U1AFS600-FG256
Microsemi Corporation
APA600-PQG208M
Microsemi Corporation
EP3C25F256C8
Intel
5SGXEA5H1F35C2L
Intel
XC2V3000-4BG728I
Xilinx Inc.
A42MX24-TQ176
Microsemi Corporation