casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / EL817(S)(A)(TB)-G
codice articolo del costruttore | EL817(S)(A)(TB)-G |
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Numero di parte futuro | FT-EL817(S)(A)(TB)-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL817(S)(A)(TB)-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 80% @ 5mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 160% @ 5mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 6µs, 8µs |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor |
Tensione - Uscita (max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817(S)(A)(TB)-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EL817(S)(A)(TB)-G-FT |
TIL111VM
ON Semiconductor
4N32SR2M
ON Semiconductor
4N28SM
ON Semiconductor
4N37SM
ON Semiconductor
4N36SM
ON Semiconductor
4N35SVM
ON Semiconductor
4N25VM
ON Semiconductor
TIL111M
ON Semiconductor
TIL117M
ON Semiconductor
FOD817C3SD
ON Semiconductor
LCMXO640E-4T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-L2FGG676E
Xilinx Inc.
EP4CGX150CF23C8N
Intel
5SGSMD6N3F45C2LN
Intel
XC5VLX85T-3FFG1136C
Xilinx Inc.
A3P400-1FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO1200C-3M132C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA7H4F35I3G
Intel
EP20K200RC208-1V
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel