casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / EL817(S)(A)(TB)-G
codice articolo del costruttore | EL817(S)(A)(TB)-G |
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Numero di parte futuro | FT-EL817(S)(A)(TB)-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL817(S)(A)(TB)-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 80% @ 5mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 160% @ 5mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 6µs, 8µs |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor |
Tensione - Uscita (max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817(S)(A)(TB)-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EL817(S)(A)(TB)-G-FT |
TIL111VM
ON Semiconductor
4N32SR2M
ON Semiconductor
4N28SM
ON Semiconductor
4N37SM
ON Semiconductor
4N36SM
ON Semiconductor
4N35SVM
ON Semiconductor
4N25VM
ON Semiconductor
TIL111M
ON Semiconductor
TIL117M
ON Semiconductor
FOD817C3SD
ON Semiconductor
XC6SLX150T-3FG484C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQG208I
Microsemi Corporation
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF6016AFC256-1
Intel
10AX022E4F27I3LG
Intel
5SGXMB9R2H43C2LN
Intel
XC4020XL-2BG256C
Xilinx Inc.
XC4VLX25-12FFG676C
Xilinx Inc.
EP1AGX50DF780I6N
Intel
EP1C20F324C8N
Intel