casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / EL817(S)(A)(TB)-G
codice articolo del costruttore | EL817(S)(A)(TB)-G |
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Numero di parte futuro | FT-EL817(S)(A)(TB)-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EL817(S)(A)(TB)-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 5000Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 80% @ 5mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | 160% @ 5mA |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | - |
Rise / Fall Time (Typ) | 6µs, 8µs |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Transistor |
Tensione - Uscita (max) | 80V |
Corrente - Uscita / Canale | 50mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 60mA |
Vce Saturation (Max) | 200mV |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 110°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EL817(S)(A)(TB)-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EL817(S)(A)(TB)-G-FT |
TIL111VM
ON Semiconductor
4N32SR2M
ON Semiconductor
4N28SM
ON Semiconductor
4N37SM
ON Semiconductor
4N36SM
ON Semiconductor
4N35SVM
ON Semiconductor
4N25VM
ON Semiconductor
TIL111M
ON Semiconductor
TIL117M
ON Semiconductor
FOD817C3SD
ON Semiconductor
XC2VP2-7FG456C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-2FGG256I
Microsemi Corporation
U1AFS250-FG256
Microsemi Corporation
A42MX36-PQ208A
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
XC7VX1140T-L2FLG1930E
Xilinx Inc.
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LFXP3E-3QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5FTN324C
Lattice Semiconductor Corporation