casa / prodotti / isolatori / Optoisolatori - Transistor, uscita fotovoltaica / 4N32SR2M
codice articolo del costruttore | 4N32SR2M |
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Numero di parte futuro | FT-4N32SR2M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
4N32SR2M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Numero di canali | 1 |
Tensione - Isolamento | 4170Vrms |
Rapporto di trasferimento corrente (min) | 500% @ 10mA |
Rapporto di trasferimento corrente (massimo) | - |
Attiva / Disattiva ora (Tipo) | 5µs, 100µs (Max) |
Rise / Fall Time (Typ) | - |
Tipo di input | DC |
Tipo di uscita | Darlington with Base |
Tensione - Uscita (max) | 30V |
Corrente - Uscita / Canale | 150mA |
Voltage - Forward (Vf) (Typ) | 1.2V |
Corrente - Avanti DC (Se) (Max) | 80mA |
Vce Saturation (Max) | 1V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-SMD |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
4N32SR2M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 4N32SR2M-FT |
H11F2SD
ON Semiconductor
H11F2W
ON Semiconductor
H11F3300W
ON Semiconductor
H11F3W
ON Semiconductor
H11G1300W
ON Semiconductor
H11G1W
ON Semiconductor
H11G2300W
ON Semiconductor
H11G2W
ON Semiconductor
H11G3300W
ON Semiconductor
H11G3W
ON Semiconductor
XA3S250E-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG676I
Xilinx Inc.
XCKU035-2FBVA676E
Xilinx Inc.
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD4K3F40C4N
Intel
EP3SL340F1517C4N
Intel
XC6VHX255T-2FFG1155I
Xilinx Inc.
M1A3P250-FGG144I
Microsemi Corporation
10AX066N2F40E2LG
Intel
10AX057K1F35I1SG
Intel