casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGP50DHE3/54
codice articolo del costruttore | EGP50DHE3/54 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-EGP50DHE3/54 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGP50DHE3/54 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 5A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 95pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | GP20 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP50DHE3/54 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGP50DHE3/54-FT |
BYM10-600HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-600HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-800HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM10-800HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-1000HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-1000HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM11-800HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-100HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel