codice articolo del costruttore | EGP30K |
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Numero di parte futuro | FT-EGP30K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EGP30K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 75ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
Capacità @ Vr, F | 75pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AD, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-201AD |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP30K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGP30K-FT |
1N3879R
GeneSiC Semiconductor
1N3892
GeneSiC Semiconductor
1N3889
GeneSiC Semiconductor
1N3768R
GeneSiC Semiconductor
1N3768
GeneSiC Semiconductor
1N3673AR
GeneSiC Semiconductor
1N3673A
GeneSiC Semiconductor
1N3671AR
GeneSiC Semiconductor
1N3214R
GeneSiC Semiconductor
S85J
GeneSiC Semiconductor
XCV1000E-6FG900I
Xilinx Inc.
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQG100I
Microsemi Corporation
EP4SGX290NF45C2
Intel
5SGXEB6R2F43I2LN
Intel
5SGSMD5H3F35C2N
Intel
LFE2M50SE-5FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M20SE-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K1000CB652C7
Intel
5SGSMD3H2F35I2LN
Intel