codice articolo del costruttore | 1N3768 |
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Numero di parte futuro | FT-1N3768 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
1N3768 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente: media rettificata (Io) | 35A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 35A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis, Stud Mount |
Pacchetto / caso | DO-203AB, DO-5, Stud |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-5 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 190°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
1N3768 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 1N3768-FT |
MBRH20020L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20020RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20030L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20030RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20035L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20035RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20040L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20040RL
GeneSiC Semiconductor
MBRH20045L
GeneSiC Semiconductor
MBRH20045RL
GeneSiC Semiconductor
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel