casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGP30DHE3/73
codice articolo del costruttore | EGP30DHE3/73 |
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Numero di parte futuro | FT-EGP30DHE3/73 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGP30DHE3/73 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 950mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-201AA, DO-27, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | GP20 |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGP30DHE3/73 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGP30DHE3/73-FT |
1N6481-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6481HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6482-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6482HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6482HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6483-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6483HE3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6483HE3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N6484-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
XC3S1400A-4FT256I
Xilinx Inc.
XC6SLX16-3FT256C
Xilinx Inc.
XC7A200T-1FBG676I
Xilinx Inc.
A54SX08A-PQ208I
Microsemi Corporation
LFE5U-12F-7BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN060-Z1VQG100I
Microsemi Corporation
XC5VLX220T-1FFG1738C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3M100C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA4M13C8N
Intel