casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGL41BHE3/97
codice articolo del costruttore | EGL41BHE3/97 |
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Numero di parte futuro | FT-EGL41BHE3/97 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGL41BHE3/97 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGL41BHE3/97 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGL41BHE3/97-FT |
BYM12-300-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
BYM12-50-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41A-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41A-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41B-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41C-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41F-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41F-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGL41G-E3/97
Vishay Semiconductor Diodes Division
RGL41A-E3/96
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO2280E-3TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
M2GL090-FCSG325I
Microsemi Corporation
LCMXO2280E-3FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-6BG756I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N2F40I3LN
Intel
5SGXEA5H2F35I3
Intel
XC7A15T-3CPG236E
Xilinx Inc.
5AGXFB1H6F35C6N
Intel
EP1S80B956C6N
Intel
EP4SGX180HF35C4
Intel