casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / BYM12-50-E3/97
codice articolo del costruttore | BYM12-50-E3/97 |
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Numero di parte futuro | FT-BYM12-50-E3/97 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
BYM12-50-E3/97 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 50V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 50V |
Capacità @ Vr, F | 20pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BYM12-50-E3/97 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BYM12-50-E3/97-FT |
SS2P2HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2L-E3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2LHE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P2LHE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P3-E3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P3HE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P3HE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P3L-E3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P3LHE3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2P3LHE3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC4005E-2TQ144I
Xilinx Inc.
LFE2-6E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2FGG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208I
Microsemi Corporation
10M40DCF484C8G
Intel
EP4CGX110CF23I7
Intel
10M40DAF256C7G
Intel
10AX022E4F27E3LG
Intel
XC5VLX85-2FFG676I
Xilinx Inc.
LFE3-70EA-7FN1156I
Lattice Semiconductor Corporation