casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGL34FHE3/83
codice articolo del costruttore | EGL34FHE3/83 |
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Numero di parte futuro | FT-EGL34FHE3/83 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGL34FHE3/83 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Discontinued at Future Semiconductor |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 300V |
Corrente: media rettificata (Io) | 500mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.35V @ 500mA |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 300V |
Capacità @ Vr, F | 7pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AA (Glass) |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AA (GL34) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGL34FHE3/83 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGL34FHE3/83-FT |
V3FM10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM10HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM15-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V3FM15HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FN6HM3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS1FN6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SS2FN6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel