casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V3FM15-M3/I
codice articolo del costruttore | V3FM15-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V3FM15-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V3FM15-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 150V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.24V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 85µA @ 150V |
Capacità @ Vr, F | 150pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-219AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-219AB (SMF) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V3FM15-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V3FM15-M3/I-FT |
S1FLG-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLG-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLG-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLG-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLJ-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLJ-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLJ-M-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLJ-M-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLK-GS08
Vishay Semiconductor Diodes Division
S1FLK-GS18
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC3S50AN-4TQ144I
Xilinx Inc.
LCMXO1200E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-5T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A100T-3FTG256E
Xilinx Inc.
AGL030V2-CSG81I
Microsemi Corporation
EP3SL70F484C4LN
Intel
10M50DAF484I7P
Intel
AGL125V2-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-7BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K200EBC356-1X
Intel