casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / EGF1B-E3/5CA
codice articolo del costruttore | EGF1B-E3/5CA |
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Numero di parte futuro | FT-EGF1B-E3/5CA |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | SUPERECTIFIER® |
EGF1B-E3/5CA Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 15pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214BA |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214BA (GF1) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EGF1B-E3/5CA Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EGF1B-E3/5CA-FT |
PMEG3010BER,115
Nexperia USA Inc.
PMEG3020ER,115
Nexperia USA Inc.
PMEG2010BER,115
Nexperia USA Inc.
PMEG6010ELRX
Nexperia USA Inc.
PMEG6020ETR,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4020ETR,115
Nexperia USA Inc.
PMEG4020ER,115
Nexperia USA Inc.
PMEG60T10ELRX
Nexperia USA Inc.
PMEG6010ETR,115
Nexperia USA Inc.
PMEG60T20ELRX
Nexperia USA Inc.
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6Q208C
Lattice Semiconductor Corporation
AFS600-FG484K
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F43C2L
Intel
5SEE9H40I4N
Intel
XC7VX690T-L2FFG1761E
Xilinx Inc.
5CEFA7F23C8N
Intel
EP20K200EQC208-1
Intel