casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / PMEG60T10ELRX
codice articolo del costruttore | PMEG60T10ELRX |
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Numero di parte futuro | FT-PMEG60T10ELRX |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
PMEG60T10ELRX Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 13ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 650nA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 245pF @ 1V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123W |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123W |
Temperatura operativa - Giunzione | 175°C (Max) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
PMEG60T10ELRX Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | PMEG60T10ELRX-FT |
1N4531,133
Nexperia USA Inc.
1N4531,143
Nexperia USA Inc.
BAS45A,143
Nexperia USA Inc.
BAT85,113
Nexperia USA Inc.
BAT85,133
Nexperia USA Inc.
BAT86,113
Nexperia USA Inc.
BAT86,133
Nexperia USA Inc.
BAS40/ZLVL
NXP USA Inc.
PMEG3010AESBYL
Nexperia USA Inc.
PMEG4010AESBYL
Nexperia USA Inc.
AX250-2FG484
Microsemi Corporation
M2GL025T-1VF400I
Microsemi Corporation
LCMXO640E-5FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBA5D4F27C4N
Intel
EP2SGX60EF1152C3N
Intel
LFE2-12SE-7F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50VBI356-4
Intel
EPF6016QC208-2N
Intel
EP4SGX110FF35C4
Intel