casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDFA364A3MA-GD-F-R TR
codice articolo del costruttore | EDFA364A3MA-GD-F-R TR |
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Numero di parte futuro | FT-EDFA364A3MA-GD-F-R TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDFA364A3MA-GD-F-R TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR3 |
Dimensione della memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frequenza di clock | 800MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDFA364A3MA-GD-F-R TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDFA364A3MA-GD-F-R TR-FT |
EDB8132B4PM-1DAT-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDB8164B4PT-1DAT-F-R
Micron Technology Inc.
EDBA164B2PF-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDBA232B2PB-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDBA232B2PD-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBA232B2PD-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PB-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PB-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PD-1D-F-D
Micron Technology Inc.
EDBM432B3PD-1D-F-R TR
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel