casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / EDBM432B3PD-1D-F-D
codice articolo del costruttore | EDBM432B3PD-1D-F-D |
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Numero di parte futuro | FT-EDBM432B3PD-1D-F-D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
EDBM432B3PD-1D-F-D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR2 |
Dimensione della memoria | 12Gb (384M x 32) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
EDBM432B3PD-1D-F-D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | EDBM432B3PD-1D-F-D-FT |
DS1250YL-100
Maxim Integrated
DS1250YL-70
Maxim Integrated
DS1250YL-70-IND
Maxim Integrated
DS1258AB-70IND#
Maxim Integrated
DS1258W-100IND#
Maxim Integrated
DS1258Y-70IND#
Maxim Integrated
DS1330BL-100
Maxim Integrated
DS1330BL-70
Maxim Integrated
DS1330BL-70IND
Maxim Integrated
DS1330YL-100
Maxim Integrated
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel