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EDB4064B4PB-1D-F-R TR Image

Micron Technology Inc. EDB4064B4PB-1D-F-R TR

Numero parte MFG
EDB4064B4PB-1D-F-R TR
quantità disponibile
70730 pezzi
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fabbricante
Micron Technology Inc.
Breve descrizione
- IC DRAM 4G PARALLEL 216WFBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Memoria
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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EDB4064B4PB-1D-F-R TR specificazioni

codice articolo del costruttore EDB4064B4PB-1D-F-R TR
Numero di parte futuro FT-EDB4064B4PB-1D-F-R TR
SPQ / MOQ Contattaci
Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
EDB4064B4PB-1D-F-R TR Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR2
Dimensione della memoria 4Gb (64M x 64)
Frequenza di clock 533MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina -
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.14V ~ 1.95V
temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 216-WFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 216-WFBGA (12x12)
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
EDB4064B4PB-1D-F-R TR Peso Contattaci
Numero parte di ricambio EDB4064B4PB-1D-F-R TR-FT

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