casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT40A2G4WE-083E:B TR
codice articolo del costruttore | MT40A2G4WE-083E:B TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT40A2G4WE-083E:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT40A2G4WE-083E:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 8Gb (2G x 4) |
Frequenza di clock | 1.2GHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.14V ~ 1.26V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 78-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 78-FBGA (8x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT40A2G4WE-083E:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT40A2G4WE-083E:B TR-FT |
N25Q016A11E5140F TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0C TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0M TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0U TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0X TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TG0Y TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TGAA TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TGAD TR
Micron Technology Inc.
M25PX80-VMP6TGT0 TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel