casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DZ1070N22KHPSA3
codice articolo del costruttore | DZ1070N22KHPSA3 |
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Numero di parte futuro | FT-DZ1070N22KHPSA3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DZ1070N22KHPSA3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 2200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1100A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.11V @ 3000A |
Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 150mA @ 2200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DZ1070N22KHPSA3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DZ1070N22KHPSA3-FT |
V8PA6-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PA6HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAM10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAM12-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
V8PAM12HM3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJU06-M3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-3EJU06HM3/6B
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3L45HM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10-M3/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
VSSAF3M10-M3/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel