casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / V8PAM10-M3/I
codice articolo del costruttore | V8PAM10-M3/I |
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Numero di parte futuro | FT-V8PAM10-M3/I |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | eSMP®, TMBS® |
V8PAM10-M3/I Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 8A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 780mV @ 8A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 810pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-221BC, SMA Flat Leads Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-221BC (SMPA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -40°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
V8PAM10-M3/I Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | V8PAM10-M3/I-FT |
UF3004-HF
Comchip Technology
UF3005-G
Comchip Technology
UF3005-HF
Comchip Technology
UF3006-G
Comchip Technology
UF3006-HF
Comchip Technology
UF3007-G
Comchip Technology
UF3007-HF
Comchip Technology
UF3008-G
Comchip Technology
UF3008-HF
Comchip Technology
UG06A A0G
Taiwan Semiconductor Corporation
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel