casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTD113ZCT116
codice articolo del costruttore | DTD113ZCT116 |
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Numero di parte futuro | FT-DTD113ZCT116 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTD113ZCT116 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SST3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTD113ZCT116 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTD113ZCT116-FT |
DTA113ZSATP
Rohm Semiconductor
DTA114ESATP
Rohm Semiconductor
DTA114WSATP
Rohm Semiconductor
DTA124ESATP
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DTA143ESATP
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DTA143TSATP
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DTA144ESATP
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DTB113ESTP
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DTB113ZSTP
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DTB123ESTP
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