casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTB113ESTP
codice articolo del costruttore | DTB113ESTP |
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Numero di parte futuro | FT-DTB113ESTP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTB113ESTP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SC-72 Formed Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | SPT |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB113ESTP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTB113ESTP-FT |
DTA143ZMT2L
Rohm Semiconductor
DTA144EMFHAT2L
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DTB713ZMT2L
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DTC044EMT2L
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DTC124EMT2L
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DTC124XMFHAT2L
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DTC143EMT2L
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DTC143TMT2L
Rohm Semiconductor
DTC143XMFHAT2L
Rohm Semiconductor
XC2S50-5TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX100-2CSG484C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-4FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSMD6K3F40C4N
Intel
5SGXMABN3F45C3N
Intel
XC7VX550T-2FFG1927I
Xilinx Inc.
XC2VP50-6FF1152I
Xilinx Inc.
AGL250V2-CS196
Microsemi Corporation
EP20K400ERI240-3
Intel
EP20K160EQC208-2N
Intel