casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTC123JET1
codice articolo del costruttore | DTC123JET1 |
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Numero di parte futuro | FT-DTC123JET1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTC123JET1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75, SOT-416 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC123JET1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTC123JET1-FT |
SMUN5133T1G
ON Semiconductor
SMUN5233T1G
ON Semiconductor
SMUN5235T1G
ON Semiconductor
MUN5211T1G
ON Semiconductor
SMUN5213T1G
ON Semiconductor
MUN5113T3G
ON Semiconductor
MUN5115T1G
ON Semiconductor
MUN5116T1G
ON Semiconductor
MUN5135T1G
ON Semiconductor
MUN5138T1G
ON Semiconductor
A3P015-1QNG68
Microsemi Corporation
LFE2-6SE-6TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP30-5FGG676I
Xilinx Inc.
XC4013E-2PQ208C
Xilinx Inc.
AX250-FG484M
Microsemi Corporation
5SGXEA5N1F40C2LN
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-95EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation