casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTC115EET1
codice articolo del costruttore | DTC115EET1 |
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Numero di parte futuro | FT-DTC115EET1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTC115EET1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | NPN - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75, SOT-416 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTC115EET1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTC115EET1-FT |
MUN5235T1G
ON Semiconductor
SMUN5114T1G
ON Semiconductor
SMUN5133T1G
ON Semiconductor
SMUN5233T1G
ON Semiconductor
SMUN5235T1G
ON Semiconductor
MUN5211T1G
ON Semiconductor
SMUN5213T1G
ON Semiconductor
MUN5113T3G
ON Semiconductor
MUN5115T1G
ON Semiconductor
MUN5116T1G
ON Semiconductor
XC3S50AN-4TQG144C
Xilinx Inc.
EX128-FTQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX25-3FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P250-VQG100
Microsemi Corporation
EP2AGZ350FH29C4N
Intel
EP3SL340F1760I4L
Intel
5SGSMD5H2F35I3N
Intel
XC4VLX160-10FFG1148I
Xilinx Inc.
EPF10K30AQI208-3
Intel
EPF8820AQC208-3
Intel