casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTB543EMT2L
codice articolo del costruttore | DTB543EMT2L |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DTB543EMT2L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTB543EMT2L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 12V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 115 @ 100mA, 2V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 100mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 260MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | VMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB543EMT2L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTB543EMT2L-FT |
RN2111ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2112ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN2113ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1101ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1101CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1102CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1103CT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage
RN1104ACT(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage