casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTB143ESTP
codice articolo del costruttore | DTB143ESTP |
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Numero di parte futuro | FT-DTB143ESTP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTB143ESTP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 500mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 4.7 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 47 @ 50mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 200MHz |
Potenza - Max | 300mW |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | SC-72 Formed Leads |
Pacchetto dispositivo fornitore | SPT |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTB143ESTP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTB143ESTP-FT |
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
LFE3-70EA-8FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX150DF31C7N
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