casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA123JET1
codice articolo del costruttore | DTA123JET1 |
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Numero di parte futuro | FT-DTA123JET1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA123JET1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75, SOT-416 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA123JET1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA123JET1-FT |
MUN5133T1G
ON Semiconductor
SMUN5115T1G
ON Semiconductor
MUN5213T1G
ON Semiconductor
MUN5233T1G
ON Semiconductor
SMUN5113T1G
ON Semiconductor
MUN5114T1G
ON Semiconductor
MUN5212T1G
ON Semiconductor
SMUN5212T1G
ON Semiconductor
SMUN5211T3G
ON Semiconductor
MUN5235T1G
ON Semiconductor
A40MX02-VQG80A
Microsemi Corporation
LCMXO2-640ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-6BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
10M40DCF256C7G
Intel
10AX027E3F29I2SG
Intel
5SGXEB6R3F43I3L
Intel
10AX115U1F45E1SG
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EPF8282ALC84-3
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EP20K200EBC356-2N
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