casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA115TM3T5G
codice articolo del costruttore | DTA115TM3T5G |
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Numero di parte futuro | FT-DTA115TM3T5G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA115TM3T5G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 160 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 260mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-723 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA115TM3T5G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA115TM3T5G-FT |
PDTC114ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114ET,235
Nexperia USA Inc.
PDTC114TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114TT,235
Nexperia USA Inc.
PDTC114YT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC114YTVL
Nexperia USA Inc.
PDTC115ET,215
Nexperia USA Inc.
PDTC115TT,215
Nexperia USA Inc.
PDTC123ETVL
Nexperia USA Inc.
PDTC123TT,215
Nexperia USA Inc.
AGLN030V5-ZQNG68
Microsemi Corporation
LFXP3C-3T144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC6SLX100-N3FG484I
Xilinx Inc.
A54SX72A-FFG484
Microsemi Corporation
A54SX72A-1PQG208I
Microsemi Corporation
LCMXO2-256ZE-1SG32C
Lattice Semiconductor Corporation
10M50DAF484C8G
Intel
LFEC10E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066H2F34E2LG
Intel