casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA115EMT2L
codice articolo del costruttore | DTA115EMT2L |
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Numero di parte futuro | FT-DTA115EMT2L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA115EMT2L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 20mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 100 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 100 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 82 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | VMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA115EMT2L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA115EMT2L-FT |
RN2314(TE85L,F)
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RN2317(TE85L,F)
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RN2318(TE85L,F)
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RN1302,LF
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RN1303(TE85L,F)
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RN1313(TE85L,F)
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RN2307(TE85L,F)
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A40MX02-VQG80A
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