casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA114EKAT146
codice articolo del costruttore | DTA114EKAT146 |
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Numero di parte futuro | FT-DTA114EKAT146 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA114EKAT146 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 50mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA114EKAT146 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA114EKAT146-FT |
DTC123JU3T106
Rohm Semiconductor
DTC123YU3T106
Rohm Semiconductor
DTC124XU3T106
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DTC143TU3T106
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DTC623TUT106
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DTA113ZU3HZGT106
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DTA113ZU3T106
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DTA114EU3HZGT106
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DTA114EU3T106
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DTA114GUAT106
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XC4005E-2TQ144I
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XCV300E-8FG256C
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EP3C5U256I7
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5SGSMD5K3F40C2
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A42MX09-PQG160I
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LFE2-35E-5FN672I
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LFE2M35SE-7F256C
Lattice Semiconductor Corporation
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