casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA114EU3T106
codice articolo del costruttore | DTA114EU3T106 |
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Numero di parte futuro | FT-DTA114EU3T106 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA114EU3T106 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased + Diode |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | - |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 30 @ 5mA, 5V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | - |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-70, SOT-323 |
Pacchetto dispositivo fornitore | UMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA114EU3T106 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA114EU3T106-FT |
DTC124TETL
Rohm Semiconductor
DTC143TEBTL
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XC3S200A-4FT256I
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XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQG208
Microsemi Corporation
LAE5UM-45F-6BG381E
Lattice Semiconductor Corporation
EPF6010ATC100-1N
Intel
EP4S100G3F45I3
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5SGXEB6R2F43C2N
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XC6SLX9-L1CSG225C
Xilinx Inc.
EPF8282ALC84-4
Intel
5SGXEA3H3F35I4N
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