casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA113EET1G
codice articolo del costruttore | DTA113EET1G |
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Numero di parte futuro | FT-DTA113EET1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA113EET1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 1 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 1 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 3 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 5mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 200mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SC-75, SOT-416 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-75 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA113EET1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA113EET1G-FT |
MUN5132T1G
ON Semiconductor
MUN5216T1G
ON Semiconductor
MUN5112T1G
ON Semiconductor
SMUN5211T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5236T1G
ON Semiconductor
MUN5137T1G
ON Semiconductor
MUN5136T1G
ON Semiconductor
MUN5111T1G
ON Semiconductor
MUN5234T1G
ON Semiconductor
MUN5131T1G
ON Semiconductor
XA6SLX45-3FGG484Q
Xilinx Inc.
APA450-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F672C7
Intel
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10CX105YU484I6G
Intel
5SGSMD3E2H29I2N
Intel
10AX027H4F34E3SG
Intel
5SGXEB9R1H43C2N
Intel
LCMXO2-2000UHC-5FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel