casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Single, Pre-Biased / DTA043TMT2L
codice articolo del costruttore | DTA043TMT2L |
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Numero di parte futuro | FT-DTA043TMT2L |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DTA043TMT2L Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | PNP - Pre-Biased |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | - |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 150mV @ 500µA, 5mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA (ICBO) |
Frequenza - Transizione | 250MHz |
Potenza - Max | 150mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-723 |
Pacchetto dispositivo fornitore | VMT3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DTA043TMT2L Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DTA043TMT2L-FT |
RN1314(TE85L,F)
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RN1317(TE85L,F)
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RN1318(TE85L,F)
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RN2301,LF
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Toshiba Semiconductor and Storage
RN2310,LF
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