casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DSTF3080C
codice articolo del costruttore | DSTF3080C |
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Numero di parte futuro | FT-DSTF3080C |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSTF3080C Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Cathode |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 15A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 820mV @ 15A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 700µA @ 80V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-3 Isolated Tab |
Pacchetto dispositivo fornitore | ITO-220AB |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSTF3080C Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSTF3080C-FT |
S8-4150/TR7
Microsemi Corporation
S8-4150E3/TR13
Microsemi Corporation
S8-4150E3/TR7
Microsemi Corporation
BAT54V-TP
Micro Commercial Co
BAS40V-TP
Micro Commercial Co
BAS16V-TP
Micro Commercial Co
MMBD4448V-TP
Micro Commercial Co
MMBD4448HTS-TP
Micro Commercial Co
BAV99T-TP
Micro Commercial Co
BAT54CT-TP
Micro Commercial Co
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel