casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / BAT54V-TP
codice articolo del costruttore | BAT54V-TP |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BAT54V-TP |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BAT54V-TP Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 30V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 100mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 5ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2µA @ 25V |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BAT54V-TP Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BAT54V-TP-FT |
NHP620MFDT3G
ON Semiconductor
NRVHP620MFDT3G
ON Semiconductor
NRVHP8H200MFDWFT3G
ON Semiconductor
NRVHP420MFDWFT1G
ON Semiconductor
NRVHP420MFDWFT3G
ON Semiconductor
NRVHP8H200MFDT3G
ON Semiconductor
NRVHP420MFDT1G
ON Semiconductor
NRVHP420MFDT3G
ON Semiconductor
NRVHP8H200MFDWFT1G
ON Semiconductor
NRVHP620MFDT1G
ON Semiconductor
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel