casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DST1040S-A
codice articolo del costruttore | DST1040S-A |
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Numero di parte futuro | FT-DST1040S-A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
DST1040S-A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 570mV @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 800µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 656pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-277, 3-PowerDFN |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-277B |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DST1040S-A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DST1040S-A-FT |
PMEG2005EGWX
Nexperia USA Inc.
PMEG4010CEGWX
Nexperia USA Inc.
BAS116GWJ
Nexperia USA Inc.
BAS16GWX
Nexperia USA Inc.
BAS21GWJ
Nexperia USA Inc.
BAS21GWX
Nexperia USA Inc.
BAT46GWX
Nexperia USA Inc.
BAT54GWX
Nexperia USA Inc.
PMEG2005EGWJ
Nexperia USA Inc.
PMEG3005EGWJ
Nexperia USA Inc.
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel