casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / DSEI2X61-10B
codice articolo del costruttore | DSEI2X61-10B |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DSEI2X61-10B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | FRED |
DSEI2X61-10B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 60A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.3V @ 60A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 50ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3mA @ 1000V |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-227B |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSEI2X61-10B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSEI2X61-10B-FT |
APTDF400KK170G
Microsemi Corporation
APTDF400KK120G
Microsemi Corporation
APTDF400AK170G
Microsemi Corporation
APTDF400AK120G
Microsemi Corporation
APTDF400AA170G
Microsemi Corporation
APTDF400AA120G
Microsemi Corporation
APT60S20B2CTG
Microsemi Corporation
APT2X101S20J
Microsemi Corporation
APT2X61S20J
Microsemi Corporation
APT2X100D100J
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HC-5TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC4010XL-1PQ100C
Xilinx Inc.
XC2S150-5PQ208C
Xilinx Inc.
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C2L
Intel
5SGXEABN3F45C4N
Intel
XC7K355T-1FF901C
Xilinx Inc.
XC7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
EP1S40F780C7N
Intel
EP4SGX530HH35C2N
Intel