casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / APT2X100D100J
codice articolo del costruttore | APT2X100D100J |
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Numero di parte futuro | FT-APT2X100D100J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT2X100D100J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 95A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 300ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 1000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT2X100D100J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT2X100D100J-FT |
MSCD165-12
Microsemi Corporation
MSCD165-16
Microsemi Corporation
MSCD200-08
Microsemi Corporation
MSKD165-08
Microsemi Corporation
MSKD165-12
Microsemi Corporation
MSKD200-08
Microsemi Corporation
MSKD200-12
Microsemi Corporation
MSKD200-16
Microsemi Corporation
MSAD120-16
Microsemi Corporation
MBR40100PTE3/TU
Microsemi Corporation
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
Intel
5SGXMA5N2F40I3N
Intel
5SGSMD3E3H29C2N
Intel
EP3SE110F1152C4N
Intel
XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
Intel
10AX090N2F40E1SG
Intel