casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / APT2X100D100J
codice articolo del costruttore | APT2X100D100J |
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Numero di parte futuro | FT-APT2X100D100J |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APT2X100D100J Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 2 Independent |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1000V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 95A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 2.5V @ 100A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 300ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 1000V |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | ISOTOP |
Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APT2X100D100J Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APT2X100D100J-FT |
MSCD165-12
Microsemi Corporation
MSCD165-16
Microsemi Corporation
MSCD200-08
Microsemi Corporation
MSKD165-08
Microsemi Corporation
MSKD165-12
Microsemi Corporation
MSKD200-08
Microsemi Corporation
MSKD200-12
Microsemi Corporation
MSKD200-16
Microsemi Corporation
MSAD120-16
Microsemi Corporation
MBR40100PTE3/TU
Microsemi Corporation
XC2V80-5FGG256C
Xilinx Inc.
XC6VLX130T-3FFG484C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-1FG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-1PQG208
Microsemi Corporation
EP3CLS70U484C8N
Intel
5SGSMD4K3F40I3L
Intel
EP2AGX65DF25C4G
Intel
EP3SE260F1152I4N
Intel
EP2AGX95EF35C6N
Intel