casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSB1A80
codice articolo del costruttore | DSB1A80 |
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Numero di parte futuro | FT-DSB1A80 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSB1A80 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 690mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSB1A80 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSB1A80-FT |
HU10260
Microsemi Corporation
HS24515E3
Microsemi Corporation
HS243100R
Microsemi Corporation
HS243100
Microsemi Corporation
HS24230
Microsemi Corporation
HS24045
Microsemi Corporation
HS24040
Microsemi Corporation
HS24040R
Microsemi Corporation
HS18230
Microsemi Corporation
HS18140
Microsemi Corporation
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel