casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / DSB1A20
codice articolo del costruttore | DSB1A20 |
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Numero di parte futuro | FT-DSB1A20 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DSB1A20 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 600mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | DO-204AL, DO-41, Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-204AL (DO-41) |
Temperatura operativa - Giunzione | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DSB1A20 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DSB1A20-FT |
JAN1N3613
Microsemi Corporation
JAN1N3612
Microsemi Corporation
JAN1N3174
Microsemi Corporation
JAN1N1188
Microsemi Corporation
HU20260
Microsemi Corporation
HU10260
Microsemi Corporation
HS24515E3
Microsemi Corporation
HS243100R
Microsemi Corporation
HS243100
Microsemi Corporation
HS24230
Microsemi Corporation
A54SX16A-1TQ144I
Microsemi Corporation
XC7A75T-3FGG484E
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-CQ352M
Microsemi Corporation
EP2C8F256C8N
Intel
5SGXEBBR1H43C2L
Intel
XC2V2000-4FFG896C
Xilinx Inc.
LCMXO256E-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S10F780C6
Intel
EP4SGX110HF35I3
Intel