casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS3050W-100#
codice articolo del costruttore | DS3050W-100# |
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Numero di parte futuro | FT-DS3050W-100# |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS3050W-100# Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 256-BGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 256-BGA (27x27) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS3050W-100# Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS3050W-100#-FT |
DS28EC20P+T
Maxim Integrated
DS2431P+
Maxim Integrated
DS24L65P+T
Maxim Integrated
DS2502P-E48+T&R
Maxim Integrated
DS28E05P+T
Maxim Integrated
DS2430AP+
Maxim Integrated
DS28E22P+
Maxim Integrated
DS28EC20P+
Maxim Integrated
DS2502P-E48+
Maxim Integrated
DS28E07P+
Maxim Integrated
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel