casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS28E25+T
codice articolo del costruttore | DS28E25+T |
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Numero di parte futuro | FT-DS28E25+T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepCover® |
DS28E25+T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (4K x 1) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 2µs |
Interfaccia di memoria | 1-Wire® |
Tensione - Fornitura | 2.97V ~ 3.63V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E25+T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS28E25+T-FT |
11AA010-I/TO
Microchip Technology
11AA040-I/TO
Microchip Technology
11AA080-I/TO
Microchip Technology
11AA160-I/TO
Microchip Technology
11AA020-I/TO
Microchip Technology
11AA161-I/TO
Microchip Technology
11LC161-I/TO
Microchip Technology
DS2430A+T&R
Maxim Integrated
DS28EC20+T
Maxim Integrated
DS2502+T&R
Maxim Integrated
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel