casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / 11AA160-I/TO
codice articolo del costruttore | 11AA160-I/TO |
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Numero di parte futuro | FT-11AA160-I/TO |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
11AA160-I/TO Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | 100kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Single Wire |
Tensione - Fornitura | 1.8V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
11AA160-I/TO Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | 11AA160-I/TO-FT |
11AA010-I/TO
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11AA040-I/TO
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Microchip Technology
DS2430A+T&R
Maxim Integrated
DS28EC20+T
Maxim Integrated
DS2502+T&R
Maxim Integrated
XC2S50-5TQG144C
Xilinx Inc.
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
XCS05-3VQ100I
Xilinx Inc.
XC4013XL-3PQ208I
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256
Microsemi Corporation
10CL080ZF484I8G
Intel
5SGXMA4H3F35C2N
Intel
ICE40LP1K-CB81
Lattice Semiconductor Corporation
AT6005-4JC
Microchip Technology
5SGSMD3H2F35I3LN
Intel