casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS28E07+T
codice articolo del costruttore | DS28E07+T |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-DS28E07+T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS28E07+T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 1Kb (256 x 4) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 2µs |
Interfaccia di memoria | 1-Wire® |
Tensione - Fornitura | 3V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E07+T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS28E07+T-FT |
11AA010-I/TO
Microchip Technology
11AA040-I/TO
Microchip Technology
11AA080-I/TO
Microchip Technology
11AA160-I/TO
Microchip Technology
11AA020-I/TO
Microchip Technology
11AA161-I/TO
Microchip Technology
11LC161-I/TO
Microchip Technology
DS2430A+T&R
Maxim Integrated
DS28EC20+T
Maxim Integrated
DS2502+T&R
Maxim Integrated
XC2V3000-5FGG676I
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
AX125-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4CGX50DF27C7
Intel
EP3SL70F484I3N
Intel
EP2AGX45DF25C6
Intel
5SGXMB9R3H43C3N
Intel
XC5VSX240T-2FF1738CES
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FF672C
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-7LFN1156C
Lattice Semiconductor Corporation