casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS24B33+T&R
codice articolo del costruttore | DS24B33+T&R |
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Numero di parte futuro | FT-DS24B33+T&R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS24B33+T&R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 4Kb (256 x 16) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 2µs |
Interfaccia di memoria | 1-Wire® |
Tensione - Fornitura | 2.8V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-92-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS24B33+T&R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS24B33+T&R-FT |
11AA010-I/TO
Microchip Technology
11AA040-I/TO
Microchip Technology
11AA080-I/TO
Microchip Technology
11AA160-I/TO
Microchip Technology
11AA020-I/TO
Microchip Technology
11AA161-I/TO
Microchip Technology
11LC161-I/TO
Microchip Technology
DS2430A+T&R
Maxim Integrated
DS28EC20+T
Maxim Integrated
DS2502+T&R
Maxim Integrated
XC7S50-2FGGA484I
Xilinx Inc.
A3P600L-FG256I
Microsemi Corporation
EPF8452ATC100-4
Intel
10M16SCE144C8G
Intel
LFE3-150EA-8FN1156ITW
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12E-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA5U19C7N
Intel
5AGXFA5H4F35I3
Intel
EP2AGX260FF35I3N
Intel
EP4SGX70HF35C3
Intel