casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS2016-150
codice articolo del costruttore | DS2016-150 |
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Numero di parte futuro | FT-DS2016-150 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS2016-150 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 150ns |
Tempo di accesso | 150ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-DIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2016-150 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS2016-150-FT |
DS28EL15Q+T
Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R
Maxim Integrated
DS2704G+T&R
Maxim Integrated
DS28E25Q+T
Maxim Integrated
DS28E80Q+T
Maxim Integrated
DS28E07Q+U
Maxim Integrated
DS28E07Q+T
Maxim Integrated
DS28E38Q+U
Maxim Integrated
DS28E36Q+T
Maxim Integrated
DS2431Q+T&R
Maxim Integrated
A3P015-QNG68I
Microsemi Corporation
EP1K30TI144-2
Intel
LCMXO2280C-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7S75-L1FGGA676I
Xilinx Inc.
ICE40UL1K-SWG16ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-VQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX45-2CSG324C
Xilinx Inc.
A42MX24-PQG160I
Microsemi Corporation
10M16DCU324I7G
Intel
EP4CE55F29C8N
Intel