casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS28E36Q+T
codice articolo del costruttore | DS28E36Q+T |
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Numero di parte futuro | FT-DS28E36Q+T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DeepCover® |
DS28E36Q+T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 8kb (8K x 1) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | 1-Wire® |
Tensione - Fornitura | 2.97V ~ 3.63V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 6-TDFN (3x3) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS28E36Q+T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS28E36Q+T-FT |
AT93C66-10SC
Microchip Technology
AT93C66-10SC-2.5
Microchip Technology
AT93C66-10SC-2.7
Microchip Technology
AT93C66-10SI
Microchip Technology
AT93C66-10SI-1.8
Microchip Technology
AT93C66-10SI-2.5
Microchip Technology
AT93C66-10SI-2.7
Microchip Technology
AT93C66A-10SI-1.8
Microchip Technology
AT93C66A-10SI-2.7
Microchip Technology
AT93C66A-10SI-2.7-T
Microchip Technology
LFXP3E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S15-5VQG100C
Xilinx Inc.
M2GL090-1FGG484
Microsemi Corporation
AFS250-2FG256I
Microsemi Corporation
ICE5LP2K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
5SGSED6K3F40C2LN
Intel
LFEC10E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50SE-7FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066N2F40E2SG
Intel