casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS2016-100
codice articolo del costruttore | DS2016-100 |
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Numero di parte futuro | FT-DS2016-100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS2016-100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | SRAM |
Tecnologia | SRAM |
Dimensione della memoria | 16Kb (2K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 24-DIP (0.600", 15.24mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-PDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS2016-100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS2016-100-FT |
DS28EL25Q+T
Maxim Integrated
DS28EL15Q+T
Maxim Integrated
DS24B33Q+T&R
Maxim Integrated
DS2704G+T&R
Maxim Integrated
DS28E25Q+T
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DS28E80Q+T
Maxim Integrated
DS28E07Q+U
Maxim Integrated
DS28E07Q+T
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DS28E38Q+U
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DS28E36Q+T
Maxim Integrated
A1020B-VQ80I
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XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
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5SGXEA5K1F35C2LN
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5SGXEA4K1F35I2N
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AX1000-1FGG676I
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EPF10K50SQC208-1N
Intel