casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1350ABP-100
codice articolo del costruttore | DS1350ABP-100 |
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Numero di parte futuro | FT-DS1350ABP-100 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1350ABP-100 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 4Mb (512K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 100ns |
Tempo di accesso | 100ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 34-PowerCap™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | 34-PowerCap Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1350ABP-100 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1350ABP-100-FT |
AT21CS11-MSH10-T
Microchip Technology
SST26VF032B-104I/TD
Microchip Technology
SST26WF064C-104I/TD
Microchip Technology
SST26WF064CT-104I/TD
Microchip Technology
SST26VF032BT-104I/TD
Microchip Technology
SST26VF064B-104I/TD
Microchip Technology
SST26VF064BT-104I/TD
Microchip Technology
DS24B33+
Maxim Integrated
DS2502-E48+
Maxim Integrated
DS2502-E64+
Maxim Integrated
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel