casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / AT21CS11-MSH10-T
codice articolo del costruttore | AT21CS11-MSH10-T |
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Numero di parte futuro | FT-AT21CS11-MSH10-T |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
AT21CS11-MSH10-T Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 1Kb (128 x 8) |
Frequenza di clock | 125kHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | I²C, Single Wire |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 4.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 2-SMD, No Lead |
Pacchetto dispositivo fornitore | 2-XSFN (5x3.5) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AT21CS11-MSH10-T Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AT21CS11-MSH10-T-FT |
MT45W4MW16BFB-708 L WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-708 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-708 WT F
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-708 WT F TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-708 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-856 WT
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-856 WT F
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-856 WT F TR
Micron Technology Inc.
MT45W4MW16BFB-856 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W8MW16BGX-701 IT TR
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