casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / DS1330ABP-70+
codice articolo del costruttore | DS1330ABP-70+ |
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Numero di parte futuro | FT-DS1330ABP-70+ |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DS1330ABP-70+ Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | NVSRAM |
Tecnologia | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Dimensione della memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 70ns |
Tempo di accesso | 70ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 4.75V ~ 5.25V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 34-PowerCap™ Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | 34-PowerCap Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DS1330ABP-70+ Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | DS1330ABP-70+-FT |
MT45W4MW16PFA-85 WT TR
Micron Technology Inc.
MT45W512KW16PEGA-70 IT TR
Micron Technology Inc.
MT45W512KW16PEGA-70 WT TR
Micron Technology Inc.
MT29F2G08ABAGAWP-IT:G
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP:D
Micron Technology Inc.
MT29F32G08CBADAWP:D TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08FAAWP-ET:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F32G08FAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F4G08AAAWP:A TR
Micron Technology Inc.
MT29F8G08MADWC:D TR
Micron Technology Inc.